台积电或计划生产3DDRAM存储芯片，关注科创芯片设计ETF浦银(589250）

11月9日，A股主要股指全线反弹，芯片板块早盘快速拉升。

截至9：34：科创芯片设计ETF浦银(589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数（950162）涨1.88%；样本股，芯原股份涨4.15%、寒武纪涨4%、杰华特涨2.89%、峰岹科技涨2.56%，纳芯微跌2.3%、普冉股份跌0.76%、盛科通信-U跌0.02%；该指数近3年涨195.17%。

据报道，应大客户英伟达的要求，台积电最近开始制定计划，生产一种名为3D DRAM的特殊类型先进存储芯片。

3D DRAM与目前AI芯片常用的HBM不同。HBM是将多颗DRAM芯片堆叠，而3D DRAM是在单颗芯片内部垂直堆叠存储单元，旨在提升单位面积的存储密度。

中信建投指出，当下国内外的大模型仍在持续迭代，存储仍然是训练和推理两侧共同的核心卡口;而在此基础上，AIAgent的出现和发展推动了存储分层模式的进一步优化，在HBM/DDR之外，eSSD也成为了服务器侧最紧缺物料。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料设备指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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