集邦预判Q4DRAM整体涨幅15%-20%，存储厂商跟进涨价！关注科创芯片设计ETF易方达（589030）

截至9：43，上证科创板芯片设计主题指数（950162）跌0.72%，成分股晶晨股份涨8.91%、翱捷科技-U涨3.4%、恒玄科技涨2.9%、思特威-W涨2.22%、乐鑫科技涨0.69%，杰华特跌3.35%、海光信息跌2.96%、纳芯微跌2.55%、盛科通信-U跌2.44%、佰维存储跌2.35%。

消息面上，根据TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业研究，2026年第四季度，普通DRAM合约价将环比上涨10%到15%。而如果把HBM高带宽内存也算进去，整体DRAM涨幅预计将达到15%到20%。与此同时，中国台湾存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再度上调DRAM合约价格，最高涨幅可达20%。

美银在近日发布的研报中指出，随着2026年第四季度的到来，存储周期将逐步走出此前J型增长阶段，进入新的发展阶段。尽管亚洲和美国将有更多晶圆厂投产，但相对于新增芯片需求而言，存储芯片短缺可能持续加剧至2027年。

科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦芯片设计环节，是市场上纯正设计主题指数。数字芯片设计和模拟芯片设计为该指数的前两大权重行业，合计占比超90%。

易方达基金是国内领先的综合性资产管理机构，20余年指数投资专业沉淀。指数产品线全面布局主流宽基指数，涉及多个行业指数，覆盖跨境、跨市场指数，触达全球10余个交易所。专业指数投研团队，具备丰富的产品设计、投资管理经验。

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