三星推出全球首个900层3DNAND闪存原型；科创芯片ETF易方达（589130）标的指数涨超2%，近20日揽金超10亿

截至10：35，上证科创板芯片指数（000685）涨2.21%，权重股中，佰维存储涨9.63%、源杰科技涨7.57%、中微公司涨3.75%，拓荆科技跌3.99%、海光信息跌2.59%、寒武纪跌0.5%。截至前一交易日，该指数近1年涨159.13%。

科创芯片ETF易方达（589130）备受资金青睐，资金连续5日净流入，合计“吸金”超4.6亿，近10日“吸金”超5.4亿，近20日“吸金”超10亿。

消息面上，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

中信证券指出，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。坚定看好存储产业趋势，行业有望维持高景气，原厂及相关存储设计公司有望更长时间维持高盈利。

科创芯片ETF易方达（589130）紧密跟踪上证科创板芯片指数，该指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

科创芯片ETF易方达（589130）场外联接基金为（020670、020671）。