提升1000倍！中国半导体研发重要突破，半导体设备ETF华夏（562590）盘中震荡

截至4月13日10:17，科创半导体ETF华夏（588170）下跌0.35%，半导体设备ETF华夏（562590）上涨0.11%。个股方面，晶升股份上涨5.96%，广立微上涨5.51%，上海新阳上涨3.96%，有研新材上涨3.54%，立昂微上涨2.11%。

4月9日消息，国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与中国科学院金属研究所联合攻关，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破。

原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，传统硅基CMOS器件正逼近物理极限，现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少的失衡问题。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别，生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。

相关ETF：科创半导体ETF华夏（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中先进封装含量在全市场中最高（约50%），聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357）：跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高（约63%），直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”（设备商）的确定性需求。

​