从“三无”到全球第一：骆薇薇成国内氮化镓芯片拓荒者

当AI算力需求呈指数级爆发，传统硅基材料陷入技术瓶颈，第三代半导体氮化镓迎来了属于它的黄金时代。凭借高频高效、高功率密度的独特优势，氮化镓正在重构AI、新能源汽车、机器人等领域的产业格局。

而在这条赛道上，英诺赛科与创始人骆薇薇，用十余年的深耕，从“三无”起步的困境中突围，不仅拿下全球氮化镓功率半导体市占率第一的宝座，更跻身英伟达800V架构核心供应商阵营，成国内氮化镓芯片拓荒者。

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市占率全球第一，

英诺赛科成第一个“吃螃蟹的人”

在以AI为代表的智能化时代，算力的爆发式增长给电力系统带来了巨大挑战，而传统硅基材料已经接近工艺极限，这让具备高频高效、高功率密度、耐高温等优势的第三代半导体氮化镓有了用武之地。

据财联社报道，若把硅基氮化镓芯片装入电源模块中，替代传统电源模块芯片使用的硅材料，可实现用电损耗降低30%，还能使模块体积缩小30%，成本也降至硅的一半。

骆薇薇也在去年的一次演讲中提到，传统硅器件因开关损耗高，难以同时兼顾效率与功率密度，迫使方案商采用硬开关、零电压开通、零电流关断等多样化的拓扑结构。而氮化镓的关断损耗仅为硅的1/15，开通损耗仅为硅的1/3，仅需采用“零电压开通”这一主流标准拓扑，就能同时实现高效率和高功率密度。

一句话总结，使用氮化镓更省电、更高效。

凭借这些优势，氮化镓芯片已经在多个关键领域实现广泛应用，在AI与数据中心领域，其已在服务器电源、DC/DC模块电源实现量产；在新能源汽车领域，已经覆盖电驱、OBC、DC/DC、激光雷达等核心部件；在机器人领域，主要应用于关节电机驱动、电源管理系统，提升机器人的运动性能和续航能力。

沙利文报告显示，随着技术的成熟与生态的完善，沙利文数据显示，2019-2023年全球氮化镓半导体市场规模复合增长率为88.5%，到2028年，将突破500亿元，复合增长率高达98.5%。

氮化镓产业的大爆发，让深耕该领域的公司看到了发展壮大的机会，头部公司英诺赛科已经成为第一个“吃螃蟹的人”。

一个有力的证明是，该公司已经与一众国际大厂并肩站在AI舞台的中央，更成为英伟达的合作伙伴。

去年5月，英伟达宣布从2027年开始将54V直流架构全面升级到800V高压直流架构，以此满足AI算力需求暴增后的供电效率。

三个月后，英伟达公布了800V直流电源架构合作伙伴名录，有7家企业入选了芯片供应商名单，其中就包括“最年轻”的中国半导体厂商英诺赛科，同样入选的还有美国老牌芯片大厂、日本知名半导体制造商罗姆，德国汽车芯片巨头英飞凌，欧洲的意法半导体等国际巨头。

消息传开的当天，英诺赛科股价一度暴涨63.64%。

在名单公布的三天后，英诺赛科在官网发文称，“本公司第三代氮化镓GaN芯片具备高频、高效率与高功率密度等特性，为英伟达800VDC架构提供从800V输入到GPU终端，覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。”

可见英诺赛科对氮化镓芯片技术的深度研究。

而在与英伟达合作前，这家公司就已经位居全球氮化镓功率半导体市场份额第一，市占率达到42.4%，2024年在港股上市，目前市值超500亿港元。

从刚成立时连办公室都要向政府借，到成为行业巨头，被外界嘲笑“中年折腾”的骆薇薇用10年向外界证明了自己的眼光和能力。

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打破技术封锁：

骆薇薇的氮化镓攻坚战

十年前，骆薇薇放弃NASA（美国国家航空航天局）首席科学家职位回国创业时，国内氮化镓芯片领域还是一片空白。

当时身边的人并不认同她这种放弃大好前程去赌一个如此不确定的未来的做法，朋友直言，连英飞凌这样的国际巨头都不敢轻易涉足的领域，“你一个人回去能做成了什么？”。

但骆薇薇对此不以为意，在她看来，“氮化镓是第三代半导体的未来，中国不能再错过了”。

2015年，骆薇薇在无成熟技术、无量产经验、无客户基础的三无情况下，成立了英诺赛科。彼时，在欧美的技术封锁下，骆薇薇连一台先进的设备都很难买到。一年后，国内才迎来第三代半导体发展元年。

这意味着，英诺赛科的发展路径需要完全靠自己探索，且每一步都十分艰难。

为了解决设备问题，骆薇薇只能满世界找旧机器改造，年轻工程师没经验，她就进车间亲自上手教学。

在大的发展方向上，骆薇薇也是不走寻常路。

在传统半导体领域，此前几十年的主流是将设计与制造分离的无晶圆厂模式，其创业门槛和启动投入较低。

骆薇薇却决定向英特尔、三星等国际巨头看齐，将芯片设计、制造、封装测试到销售全流程自己把控，因为“这样才有定价权”。

在业内普遍采用6英寸氮化镓技术的时候，骆薇薇选择攻克8英寸。原因是更大尺寸的晶圆可以更有效地分摊固定成本，从而降低单位成本、提升产品性能。

要想实现这一目标并不容易，晶圆尺寸每次跨越，难度都呈指数级增长，从6英寸到8英寸是一个指数级难度，从8英寸到12英寸也是这样。

这让英诺赛科初期的发展充满挑战。但是骆薇薇还是通过长期埋头苦干突破了技术壁垒。

2017年，中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海投产，2021年，苏州基地投产，全球最大的氮化镓生产基地落地，产品良率达到92%。

更重要的是，苏州本身就是集成电路产业集聚地，加上地处长三角，紧靠上海和杭州，将总部迁到苏州的英诺赛科拥有了完备的上下游产业链。

出货量也是呈指数级增长。2021年，英诺赛科出货量为100万颗，2023年突破5亿颗。年营收也一路从2021年的6822万元涨至2023年的5.93亿元。

市场地位也随之迅速确立。招股书显示，2023年，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一，市占率为42.4%。近两年的AI技术大爆发，更是将英诺赛科推向了世界聚光灯下。

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乘AI风口起飞

AI算力引爆了电力危机。

ChatGPT掀起的浪潮，让英伟达GPU的算力需求暴涨，可传统的工业系统却像小马拉大车根本带不动，粗壮的电缆，惊人的损耗制约着AI发展的致命瓶颈。

这让英诺赛科的氮化镓芯片成了炙手可热的产品。

据官方披露，长城服务器电源率先采用英诺赛科合封芯片 ISG6122TD和ISG6123TD，与传统电源相比，其轻中载电能损耗可减少至少30%，在20%-50%典型负载区间较传统电源提升达4个百分点，实现了超过96%的转换效率。

凭借其芯片高功率密度、高频、高效的优势，英诺赛科成为英伟达向800V架构升级的合作伙伴。

除了AI领域，英诺赛科还将向更多领域施展拳脚。

在骆薇薇看来，“氮化镓技术将重塑AI算力、新能源汽车、机器人等未来产业的赛道”。

比如，人形机器人最重要的一点就是灵活性，这一性能取决于关节电机，传统电机存在体积大、发热高、续航短等问题，而未来单个机器人的关节将从今天的几十个增加到两百个以上，如果应用氮化镓驱动模组，就可以彻底解决关节电机的问题，让人形机器人的灵活性无限接近人。

在消费电子领域，氮化镓芯片可缩小电源系统尺寸、降低功率损耗，延长终端设备电池续航，进而被手机以及新能源汽车相关产品采用。

英诺赛科自主研发的双向导通产品VGaN已在2021年率先导入OPPO手机，成为世界第一款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。

这之后，智能充电品牌安克也采用了英诺赛科的氮化镓芯片，双方共同发布了全球首款65W全氮化镓快充，将手机快充设备推进到“氮化镓时代”。

与手机快充共同快速发展的，还有英诺赛科的汽车电子业务，2022-2023年，公司的多款车载充电器、激光雷达电源芯片产品获得了AEC-Q101车规级认证。

就连宁德时代董事长曾毓群也十分看好英诺赛科。

在英诺赛科的C轮融资中，曾毓群以个人名义投资了2个亿，后续，宁德时代也成为该公司客户，为其锂电池相关设备提供电源模组。

从放弃NASA职位回国创业，到攻克8英寸晶圆技术壁垒；从借办公室艰难起步，到成为全球最大氮化镓生产基地，骆薇薇和英诺赛科的征程，是中国半导体产业突破技术封锁的缩影。

如今，氮化镓技术正加速赋能千行百业，英诺赛科的故事也远未落幕。在AI与新能源的双重风口下，这家中国企业，正带着核心技术的底气，向着更广阔的未来全速迈进。