HBM还要进化！SK海力士敲定路线图 或拉拢英伟达加入

《科创板日报》11月20日讯（编辑 郑远方）AI对存储的高涨需求，让HBM这一先进存储产品为外界熟知，如今，HBM甚至可能颠覆整个半导体行业。

据韩国中央日报消息，SK海力士聘请大量逻辑芯片设计人员，已有多名骨干人员组成团队，开始研究半导体设计。

SK海力士计划将HBM4通过3D堆叠直接集成在芯片上，发展方向已确定，具体商业模式正在推进。SK海力士也正与英伟达等多家半导体公司讨论这一新集成方式，英伟达与SK海力士或将共同设计芯片，并委托台积电生产。据悉，HBM4最早将于2026年开始量产。

若SK海力士“招聘并组建逻辑芯片设计团队”仅仅是一个不寻常的举动，那“直接将HBM4集成到芯片上”堪称一项“颠覆性”的壮举。

一般而言，在芯片领域中，逻辑芯片与存储芯片是两大主要赛道，前者包括CPU、GPU等，后者则是HBM、DDR5、NAND Flash等。如果说存储芯片是一个记忆力好的人，那么逻辑芯片便可以看作是一个算数/数学能力好的人。也正是因此，人们在说到半导体时，常常将存储芯片与逻辑芯片分开讨论。

就当前产品而言，HBM主要是放置在CPU/GPU等逻辑芯片一旁的中介层上，尽可能地贴近逻辑芯片，并通过接口连接到逻辑芯片；在这种情况下，GPU的主要计算功能与HBM是分离在不同的芯片中——这也是CoWoS等封装的主要路线。

图：HBM目前连接方式

而本次SK海力士则计划将HBM4直接堆叠在逻辑芯片上，HBM便再也无需中介层。

图：HBM4计划连接方式（来源：韩国中央日报）

为何选择这一集成路线？若按照此前的技术方案，HBM4将使用2048位接口连接到处理器，这极为复杂且昂贵。而集成之后，可以在一定程度上简化芯片设计，并降低成本。

值得注意的是，散热问题也随之而来。因此，要想为逻辑+存储这一集成体散热，可能需要非常复杂的方法，液冷和/或浸没式散热或是解决方案。

但无论如何，曾经的逻辑芯片与存储芯片相互独立的情况不再，HBM4或将与现有半导体完全不同，而是融合成为一个整体。

韩媒援引业内人士表述称，“‘半导体游戏规则’可能在未来10年内改变，区别存储半导体和逻辑半导体可能变得毫无意义。”更进一步来说，整个半导体生态系统分工（存储器/逻辑、IC设计、生产代工）可能也会由此颠覆。