HBM还要进化!SK海力士敲定路线图 或拉拢英伟达加入
《科创板日报》11月20日讯(编辑 郑远方)AI对存储的高涨需求,让HBM这一先进存储产品为外界熟知,如今,HBM甚至可能颠覆整个半导体行业。
据韩国中央日报消息,SK海力士聘请大量逻辑芯片设计人员,已有多名骨干人员组成团队,开始研究半导体设计。
SK海力士计划将HBM4通过3D堆叠直接集成在芯片上,发展方向已确定,具体商业模式正在推进。SK海力士也正与英伟达等多家半导体公司讨论这一新集成方式,英伟达与SK海力士或将共同设计芯片,并委托台积电生产。据悉,HBM4最早将于2026年开始量产。
若SK海力士“招聘并组建逻辑芯片设计团队”仅仅是一个不寻常的举动,那“直接将HBM4集成到芯片上”堪称一项“颠覆性”的壮举。
一般而言,在芯片领域中,逻辑芯片与存储芯片是两大主要赛道,前者包括CPU、GPU等,后者则是HBM、DDR5、NAND Flash等。如果说存储芯片是一个记忆力好的人,那么逻辑芯片便可以看作是一个算数/数学能力好的人。也正是因此,人们在说到半导体时,常常将存储芯片与逻辑芯片分开讨论。
就当前产品而言,HBM主要是放置在CPU/GPU等逻辑芯片一旁的中介层上,尽可能地贴近逻辑芯片,并通过接口连接到逻辑芯片;在这种情况下,GPU的主要计算功能与HBM是分离在不同的芯片中——这也是CoWoS等封装的主要路线。
图:HBM目前连接方式
而本次SK海力士则计划将HBM4直接堆叠在逻辑芯片上,HBM便再也无需中介层。
图:HBM4计划连接方式(来源:韩国中央日报)
为何选择这一集成路线?若按照此前的技术方案,HBM4将使用2048位接口连接到处理器,这极为复杂且昂贵。而集成之后,可以在一定程度上简化芯片设计,并降低成本。
值得注意的是,散热问题也随之而来。因此,要想为逻辑+存储这一集成体散热,可能需要非常复杂的方法,液冷和/或浸没式散热或是解决方案。
但无论如何,曾经的逻辑芯片与存储芯片相互独立的情况不再,HBM4或将与现有半导体完全不同,而是融合成为一个整体。
韩媒援引业内人士表述称,“‘半导体游戏规则’可能在未来10年内改变,区别存储半导体和逻辑半导体可能变得毫无意义。”更进一步来说,整个半导体生态系统分工(存储器/逻辑、IC设计、生产代工)可能也会由此颠覆。
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