Z链研究员｜胡泽松 编辑｜LZ

内存接口芯片是澜起科技安身立命的产品，全球市场占有率40%。

什么是内存接口芯片？

内存接口芯片是内存模组的核心器件，是CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，以匹配CPU日益提高的运行速度及性能。内存接口芯片需与各种内存颗粒及内存模组进行配套，并通过CPU厂商和内存厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的严格认证，才能进入大规模商用阶段。

内存分为DRAM和ROM两种，即动态随机存储器和只读存储器，DRAM随着技术更新可分为SDRAM及DDR（Double Data Rate）。与SDRAM相比，DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步。

自1996年初代DDR面世，DDR2、DDR3、DDR4面世时间分别为2003年、2007年、2014年。期间20多年时间，内存芯片仅迭代4次，平均每5年替换一次。2021年第四季度，澜起科技率先实现DDR5产品量产。

内存接口芯片之于澜起

成立初期，澜起科技凭借DDR2产品得到英特尔战略投资，至今以9.01%持股比例为公司第二大股东，并合作研发出澜起科技另一核心产品津逮系列服务器CPU。

DDR4时代，澜起科技发明DDR4全缓冲“1+9”架构，最终被JEDCE国际标准采纳，成为国际通用的DDR4 LRDIMM标准设计，凸显了公司的技术水平和能力，在DDR4阶段逐步确立行业领先优势。

经过在内存接口领域深耕10多年，澜起科技积累丰富的产品开发、测试及应用经验，已成为服务器内存接口芯片领域全球三家核心玩家之一，市占率约40%。

2017年至2021年，澜起科技凭内存接口芯片营收由9.35亿元增至17.17亿元，毛利率维持在70%上下。2017、2018年内存接口芯片业务营收分别同比67.41%、87.09%，成长快速；2018-2021年，受内存市场景气度及DDR4渗透率趋高影响，业务营收平稳，占比分别99.49%、99.06%、98.37%、67.01%。

战略层面，创始人杨崇和认为内存接口芯片是澜起科技向平台型芯片设计公司发展的起点，在技术及市场的双重驱动下，延展到津逮CPU、PCIe Retimer芯片、内存模组配套芯片、AI芯片，现在进一步拓宽到CKD、MCR RCD/DB以及CXL相关芯片等。

2021年第四季度，随着DDR5相关产品的量产，澜起科技继续保持着内存接口芯片领域的全球领先地位。

图片来源：澜起科技官网

澜起DDR5研发复盘

2018年，澜起科技启动DDR5内存接口芯片的工程版芯片研发，为新一代服务器平台提供完全符合JEDEC标准的高性能内存接口解决方案。

2019年4月，澜起科技参与DDR5 JEDEC标准的制定，并开始了面向DDR5寄存式双列内存模组（RDIMM）和减载双列直插内模组（LRDIMM）的DDR5内存接口芯片的研发。

研发项目“Gen 1.0 DDR5寄存时钟驱动器芯片”及“Gen 1.0 DDR5数据缓冲芯片”均进入设计优化阶段，研发人员分别34人、35人。

7月澜起科技已完成工程版芯片流片及功能验证，各项指标功能符合预期，有望2020年底前完成量产版研发并在三年内实现产业化。

同时，与聚辰股份合作开发DDR5 EEPROM产品，开发费用各承担50%。

下半年，澜起科技完成符合JEDEC标准的第一子代DDR5 RCD及DB芯片工程样片流片并送样评估。

同时完成符合标准的DDR5服务器内存模组电源管理芯片（PMIC）、温度传感器（TS）和串行检测芯片（SPD）工程样片流片并送样评估，这三款芯片为DDR5内存模组配套芯片，与DDR5接口芯片、DDR5内存颗粒一起组成DDR5内存模组解决方案。

2020年1月，澜起科技在投资者关系活动中透露，DDR5第一子代预计量产时间为2021-2022年。

8月，澜起科技透露上半年在根据客户及合作伙伴的反馈进行芯片设计优化，并计划下半年完成量产版研发。

2021年1月，澜起科技在投资者关系活动中透露，DDR5 RCD及DB量产版芯片、内存模组配套芯片（PMIC、TS、SPD）量产版均完成研发进入量产前准备工作。

8月，澜起科技透露DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片在年底前正式进入量产爬坡阶段，同时正在开展第二子代的研发。

第四季度，澜起科技宣布DDR5内存接口芯片及内存模组配套芯片量产出货，成为全球可提供DDR5全套解决方案的两家供应商之一。

至2021年末，针对DDR5产品的“新一代内存接口芯片研发及产业化项目”已累计投入4.14亿元，占比44.25%。

2022年5月，澜起科技发布全球首款CXL内存扩展控制器芯片MXC，该芯片可大幅扩展内存容量和带宽。之后不久，三星电子发布首款512GB内存扩展器DRAM模组，该内存模组的CXL内存扩展控制器芯片就是采用了澜起科技的MXC。

DDR5前景

澜起科技表示DDR5子代间迭代速度在初期可能比DDR4更快，预计2022年除了DDR5第一子代产品上量外，第二子代内存接口芯片会有一定量的样品需求。

产品渗透率可参考DDR4：上量后12个月末渗透率可达20%-30%左右，24月末渗透率可达50%-70%，36个月末基本完成子代绝大部分渗透；澜起科技已为DDR5规划3个子代，预计后续还将推出1-2个子代。

关于DDR5竞争格局，澜起科技表示DDR5内存接口芯片市场上的供应商仍是瑞萨电子、Rambus及自己，与DDR4世代一致；配套芯片上，SPD和TS主要供应商为瑞萨电子及自己；PMIC竞争对手更多，出其竞争会更复杂。

据DIGITIMES报道，内存模块制造商称，三星电子、SK海力士和美光科技均已扩大其DDR5芯片产量，旨在加速行业从DDR4向DDR5的过渡。消息人士称，将2022年视为DDR5的预热年，2023年DDR5渗透率将大幅提升。

中信证券研究员徐涛认为，受益服务器行业景气回暖及DDR5的升级，将有量价齐升机遇。

财信证券研究员何晨认为，高流量应用场景的逐步落地要求更高的服务器性能，而处理器厂商陆续推出新平台标志DDR5开始取代DDR4，这将带来内存接口芯片单价的提升，同时配套芯片的引入也会带来增量空间。

参考与来源：

【1】澜起科技公司公告

【2】《澜起科技科创板上市三年蝶变记》，来源：新华财经

【3】《半导体行业精选：全球内存接口芯片龙头“澜起科技”》，来源：九方金融研究所

【4】《澜起科技：全球内存接口芯片龙头，围绕“互连+计算”多方位布局》，来源：管是

【5】《内存接口芯片龙头澜起科技研究报告：DDR5时代来临，龙头再成长》，来源：认是

【6】《内存接口芯片产业链跟踪：澜起科技VS Rambus（美），DDR5量产前景？》，来源：并购优塾

【7】《消息称DDR5芯片渗透率将在2023年大幅上升，今年底价格逼近DDR4》，来源：通信世界网

【8】《澜起科技投资价值分析报告：全球内存接口芯片龙头，围绕“互联+计算”多方位布局》，来源：中信证券

【9】《澜起科技内存世代新老交替未来可期，津逮加速放量》，来源：财信证券

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来源：蓝筹企业评论