SiC时代加速到来 衬底稳定量产成核心诉求 企业坦言:价格两年内难下跌
《科创板日报》8月8日讯(记者 郭辉) 在新能源汽车、光伏等市场需求驱动下,第三代半导体碳化硅(SiC)热度不减。
以SiC为衬底制成的半导体器件,可以更好满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。新能源汽车和光伏、储能是SiC器件主要的应用市场。衬底处于SiC整体价值量最高环节,因而被行业视为SiC器件降成本的关键。
成本高昂依然是阻碍SiC渗透率进一步提高的最大障碍,且核心材料衬底的价格在未来几年内难以下降。露笑科技日前表示,据市场需求情况判断,预计SiC衬底1-2年内难以下跌,甚至可能上涨。东尼电子则告诉《科创板日报》记者,国内来看SiC一直是供不应求的状态,“市场更关注上游衬底厂商能否保证稳定量产”。
露笑科技称,在需求方面,目前市场需求主要是光伏逆变器和工业电源领域,且由于新能源汽车验证周期较长,随着之后新能源汽车市场的需求上升,6英寸导电衬底片的需求量将进一步提升。
另外,由于公司设备具有较强通用性,从6英寸到8英寸基本可以实现零成本改造,只是大尺寸碳化硅晶体生长、研发周期极长,国内可能还需要3-5年才能实际应用。
东尼电子相关人士表示,公司SiC衬底产品目前主要针对东莞天域配套供货,目前对方已经给到了一些相对应的订单。
相比半绝缘型衬底,导电型SiC衬底在新能源汽车、光伏等领域未来需求空间更大。根据Yole数据显示,2025年全球以导电型SiC衬底制备的器件市场规模有望达到25.62亿美元。
目前A股市场中,业内天科合达、露笑科技、三安光电主要经营导电型衬底。东尼电子、露笑科技、天岳先进先后以定增或IPO募投形式,推进导电型SiC衬底研发与产业化项目落地。
“无论是前不久客户下的长期订单还是市场供求趋势,导电型的市场需求越来越大”。天岳先进相关人士对《科创板日报》记者如是表示。今年7月,天岳先进公告其获得了人民币13.93亿元的6英寸导电型碳化硅衬底产品合同,交付期限为2023年至2025年。
此前天岳先进产品主要为4英寸半绝缘型SiC衬底,在嗅到市场风向后,天岳先进于今年登陆科创板IPO,发力导电型SiC衬底,募得资金中有23亿元用于建设6英寸导电型碳化硅衬底项目,预计2026年实现全面达产,对应6英寸导电型SiC衬底产能为30万片/年。
关于IPO募投项目最新进展,天岳先进相关人士表示,公司上海工厂已经完成封顶,正在进行内部装修,“原计划在今年下半年会有少部分产品的产出,不过受到此前疫情影响,我们正在尽力赶上进度”。
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