5月17日收盘,第三代半导体板块集体异动,涨幅居前。

​消息面上,国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议5月14日在北京召开。中共中央政治局委员、国务院副总理、国家科技体制改革和创新体系建设领导小组组长刘鹤主持会议并讲话。会议专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。业界认为,再过10年,芯片产业会进入后摩尔时代。当晶体管收缩不再可行时,创新不会停止,新材料、异构整合等会成为提高芯片性能的突破方向,如3D封装、第三代半导体、碳纳米管芯片、量子芯片等。

百瑞赢了解到:第三代半导体是宽禁带半导体材料,是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料,目前比较成熟的有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。其更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

在5G、物联网、车联网、人工智能等科技领域有着举足轻重的作用,而为了防止在芯片技术上再被美国卡脖子,所以第三代半导体是国家大力发展对象,政策、资金都会向之倾斜,发展前景巨大。

随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视,国际上已形成完整的覆盖材料,器件,模块和应用等环节的产业链,全球新一轮的产业升级已经开始。

天风证券认为超越摩尔定律相关技术发展的重点,一是发展不依赖于特征尺寸不断微缩的特色工艺,以此扩展集成电路芯片功能。二是将不同功能的芯片和元器件组装在一起封装,实现异构集成。其创新点在于推出各种先进封装技术,具有降低芯片设计难度、制造便捷快速和降低成本等优势。三是在材料环节创新,发展第三代半导体。

(图片来源摄图网)

(作者:付新果 执业编号:A0840617080002)

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