我国集成电路产业高速发展,关注产业链国产替代投资机会
第十八届中国半导体封装测试技术与市场年会9日举行,国家科技重大专项(01)专项专家组总体组组长魏少军表示,十五年来我国集成电路产业高速增长,产值增长近14倍,年均复合增长率达到19.2%,远高于全球4.5%的年均复合增长率;产业结构也日趋均衡,封装测试业占比从2004年的51.4%下降到2019年的31.1%。
图片来源摄图网
百瑞赢证券咨询认为,从下有应用端来看,以5G、新能源汽车、云服务器为主线,未来半导体产品需求将保持高景气度。但是一直以来,我国在集成电路半导体行业都被国外“卡脖子”,如在电子气体、光刻胶和抛光材料等三种典型辅助材料领域,国内企业生产的产品市场占有率分别仅为30%、10%、10%,亟需提升我国半导体关键原辅材料的自主保障能力。作为全球电子产品制造大国,我国半导体需求量稳步上升,成为全球半导体市场增长的主要动力。
因此,加强半导体产业国产替代至关重要,目前大力发展第三代半导体已经被提升到十四五规划的高度,因此,政策和资金的支持未来有望继续加码,产业链有望得到高质量发展。
根据数据显示,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。而未来十年的年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。此外,根据Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。
目前,A股市场中乾照光电和聚灿光电精耕的领域中就包含氮化镓和LED;
三安光电氮化镓业务由全资子公司三安集成运营,2020年上半年收入3.75亿元,同比增长680.48%。此外,三安光电在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,项目正处于建设阶段;
露笑科技掌握制造碳化硅长晶炉的核心技术,与中科钢研等企业合作开发SiC衬底材料,并且正在募集资金投产。
另外,,早在2015年7月,扬杰科技即锚定第三代半导体,定增募资不超过10亿元,用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目;而该公司产品目前包含碳化硅SBD、碳化硅JBS等,主要面向未来功率器件的中高端领域,储备硅基氮化镓技术和人才,完成了高压碳化硅产品的开发设计等。
(作者:付新果 执业编号:A0840617080002)
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