作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。4月13日，长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存，宣布在武汉光谷研发成功，这是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。同时，该公司发布了两款128层3D NAND芯片产品，分别为容量1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和512Gb的128层TLC 3D NAND闪存(型号：X2-9060)。

　　作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。所谓QLC，是继当前TLC(3bit/cell)后3DNAND闪存新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。

　　据介绍，每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元，每个存储单元可存储4字位(bit)的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

　　在业内人士看来，长江存储此次发布QLC的128层3D NAND闪存芯片具有里程碑意义。128层3D NAND是业界主流技术，也是各国际大厂争夺的焦点。三星在2019年8月宣布推出首个100+层的TLC 3D NAND闪存；美光在同年10月初宣布第一批第四代3D NAND闪存芯片流片出样；SK海力士在11月宣布128层TLC的3D NAND闪存产品出样。

　　相比这些大公司，长江存储成立短短4年，就已经发布了128层的闪存产品。半导体行业评论员、芯思想研究院创始人赵元闯认为，长江存储此次发布128层产品意味着其朝闪存行业第一梯队迈进。

　　存储器是半导体产业的重要分支。中信证券电子组表示，存储芯片产业2019年全球销售额约1200亿美元，约占全球4000亿美元半导体市场的30%。其中，DRAM约620亿美元，NAND Flash约570亿美元。韩美3家DRAM厂商占全球95%的份额，其中韩国厂商三星、SK海力士占75%。韩美日6家NAND Flash厂商占全球99%的份额，其中韩国三星、SK海力士以及日本铠侠（原东芝）3家的份额超过60%。

　　长期以来，我国使用的存储芯片严重依赖进口。以2018年为例，根据智研咨询统计，我国集成电路进口额达3120亿美元。其中，存储芯片为1230亿美元，占集成电路进口总额的39%。目前，长江存储、长鑫存储、福建晋华等3家国内厂商正奋力追赶。随着量产的推进，我国依赖进口的局面有望得到缓解。长鑫存储和福建晋华主攻DRAM，前者去年9月宣布内存芯片自主制造项目投产。

　　据官网介绍，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

　　2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工5000余人，其中研发工程师约2000人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

　　2016年，武汉新芯集成电路制造有限公司正式确认了长江存储科技有限责任公司成立的消息。这份由长江存储科技有限责任公司授权武汉新芯集成电路制造有限公司发布的公告显示，长江存储已于7月26日成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上建立长江存储。赵伟国任长江存储董事长，丁文武和杨道虹任副董事长，王继增任监事长，杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。

　　集成电路是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家信息安全、产业安全的战略性、基础性和先导性产业，是世界各国和地区综合竞争力的集中体现。赵伟国曾说，存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，属于“皇冠上的明珠”，技术的难度、投资的总量，在全世界也没有几个玩家，进入存储芯片市场，本身就是一场“世界战争”。

　　要打赢存储芯片制造的“世界战争”，就必须建起“航母级芯片工厂”。“总投资240亿美元，核心厂房设备和建设投资，每平方米超过3万美元”，赵伟国用直观的场景体现项目投资金额的巨大：“每一个平方米的核心厂房，都是300张一百美元堆出来的”。

　　湖北省人民政府网站这样介绍：长江存储科技有限责任公司董事长赵伟国，被称为集成电路产业领军人物。他有一个“追芯”梦。十年布局，落子光谷。他率紫光集团投资长江存储科技有限责任公司，积极探索“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”三合一运作模式，启动国家存储器基地项目，在光谷实现中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，在全球版图上写下光谷的名字。他引领集成电路产业，写入光谷“5+2”产业新格局，并构筑了光谷“芯屏端网”万亿级光电子产业集群上重要一环。

　　1月16日，长江存储在北京召开了合作伙伴年会，这次出席会议的规格很高，从紫光集团董事长赵伟国到长江存储CEO杨士宁，再到群联、慧荣、江波龙、威刚、国科微等，可以说全球存储市场的半壁江山都到了。

　　在这次年会上，紫光集团董事长赵伟国发表了致辞，他首先感谢了长江存储各位合作伙伴的捧场。赵伟国表示，“从2016年7月份成立到现在3年多，经历了从32层研发，64层研发，32层、64层的这种变化，这个过程确实是非常不容易，也蛮艰辛的。回想这3年多，真的是有一种雄关漫道真如铁的感觉，这个过程中，特别感谢方方面面的支持，包括在座的各位合作伙伴和媒体界的支持，因为大家的支持和理解才走到今天。”

　　赵伟国还感谢了长江存储的团队，尤其是CEO杨士宁为首的研发和工程团队，他称杨士宁及这个团队“能吃苦能打硬仗，包括杨总他本人是大陆人员里面研发最天才的。”