9月28日，无锡新洁能股份有限公司（股票简称：新洁能，股票代码：605111）正式登陆上海证券交易所挂牌上市。公司本次公开发行股票为2530万股，发行价格为19.91元，实际募集资金为5.04亿元，平安证券股份有限公司为主承销商和保荐人。

新洁能主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司产品系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。

行业市场规模持续增长，公司业绩不断攀升

随着我国经济的持续高速发展，半导体制造行业对国民经济增长的推动作用越来越明显，半导体技术的发展及广泛应用极大地推动了科学技术进步和社会经济发展，为国家重点支持的行业。近年来，国家相关部委出台了一系列的关于支持半导体制造行业结构调整、产业升级、促进下游应用市场消费、规范行业管理以及促进区域经济发展的政策法规。

在移动智能互联终端、PC、平板电视以及工业应用领域等市场需求拉升的强力推动下，全球半导体行业销售规模从2007年的2554.85亿美元增长到2017年的 4,122亿美元，行业销售额年均复合增长率达到4.90%。2018年全球半导体行业销售规模达到4687.78亿美元，较2017年增长13.72%。

我国半导体行业的市场需求不断扩大。根据中国半导体行业协会预测，2019年至2021年我国半导体市场需求将有望分别达到19004.4 亿元、20142.00亿元和 22770.9亿元。根据预测，2020年及2021年半导体市场同比增速将分别扩大至 5.99%和13.05%。

新洁能为专业化垂分工厂商，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封测代工而成，公司已初步完成先进封装测试生产线的建设，将少部分芯片自主封装后对外销售。报告期内，公司主营业务未发生重大变化。

公司是国内领先的半导体功率器件设计企业之一，在中国半导体行业协会发布的 2016年、2017年、2018年和2019年中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。

新洁能基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率 MOSFET及超结功率 MOSFET 的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT四大产品平台的本土企业之一，为国内 MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

凭借先进的技术、丰富的产品种类、卓越的品质和优质的客户服务水平，新洁能取得了客户的广泛好评和较好的市场口碑，并与客户保持了良好的商业合作关系，培育了一大批忠实客户，为公司不断积累客户资源取得长远发展提供了有力的保障。

财报显示，新洁能在2017年度至2019年度分别实现营业收入50,375.98万元。71,579.03万元和77,253.69万元，净利润分别为5,189.11万元、14,141.89万元和9,820.95万元，扣除非经常性损益后的净利润分别为6,867.81万元13,955.56万元和8762.74万元。

核心技术不断突破，产品竞争力持续提升

新洁能是高新技术企业、江苏半导体行业协会2017年度先进会员单位，目前已建立了江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。

自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的MOSFET和IGBT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台。公司新产品开发能力强，产品导入市场速度快，已经掌握了屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 等特色工艺技术，并形成了具有自主知识产权的核心技术体系。

截至2020年1月19日，新洁能拥有97项专利，其中发明专利35项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列。同时，公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。

此外，公司参与在 IEEE TDMR 等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距，拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。

新洁能与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技 术攻关小组。公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化，在已推出先进的超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础上，进一步对上述产品升级换代。

目前，新洁能率先在国内研发基于12英寸晶圆片工艺平台的 MOSFET产品，部分产品已处于小批量风险试产环节。另外，公司还进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域，开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。