财联社（上海，编辑 黄君芝）讯，韩国三星公司周日（30日）宣布，其位于韩国平泽工厂的第二条生产线已经开始量产16GB LPDDR5移动DRAM芯片，这也将是业界首款使用极紫外光刻技术（EUV）制造的存储器。

据悉，新款芯片将基于三星第三代10 nm级（1Z）工艺打造，拥有最高的移动存储性能和最大容量，让更多的消费者能够在下一代智能手机中享受5G和AI功能的全部好处。

具体而言，16Gb LPDDR5芯片的速度为6400Mbps，比当今大多数旗舰移动设备中的12Gb LPDDR5的5500Mbps快约16%。这相当于可以在1秒内传输大约10部5GB大小的全高清电影，即51.2GB的数据。

三星电子负责DRAM产品和技术的执行副总裁Jung-bae Lee表示：“基于1Z的16 GB LPDDR5芯片会将该行业提升到一个新的水平，克服了先进节点DRAM扩展方面的主要发展障碍。”

另一方面，由于首次商用了1Z工艺，16GB LPDDR5封装比上一代产品薄了30%，这可能会导致机身变得更薄，或者为电池和相机等组件提供更大空间。16Gb LPDDR5只需8颗芯片就能构建16GB的封装，而基于1Y的前代产品则需要12颗芯片（8颗12Gb芯片和4颗8Gb芯片）才能提供同样的容量。

三星的平泽工厂第二条生产线占地超过12.89万平方米，相当于16个足球场的面积，是迄今为止规模最大的半导体生产线。通过向全球智能手机制造商提供第一个基于1Z的16GB LPDDR5芯片，三星计划在整个2021年进一步加强其在旗舰移动设备市场的领先地位。“我们将继续扩大我们的高端DRAM产品阵容，并超越客户的需求，因为我们在整个内存市场的增长中处于领先地位。”Lee说。

此外，三星还计划将LPDDR5产品扩大至汽车应用中，以提供更快、更强大的信息娱乐系统，并在极端环境中满足严格的安全和可靠性标准。