《科创板日报》（上海，记者 金小莫）讯，4月8日晚间，华为春季新品线上发布会引发密切关注。有知情人士向《科创板日报》记者独家透露，华为有意在忆阻器芯片领域进行布局。

“但华为公开说的很少。”前述人士透露。《科创板日报》记者进一步在中国知网找到了华为分别于2019年3月、2020年1月公开的两份相关专利信息。

据悉，目前国内市场进行忆阻器芯片研发的企业较少，其中一家名为闪亿半导体（下称：闪亿），其创始人鲁辞莽表示，“国际上，Micron、IBM、东芝等企业都在研发忆阻器芯片，不过大多数仍然处于实验室验证阶段。”

仍停留在实验室阶段的忆阻器

公开资料显示，忆阻器全称记忆电阻，即表示具有记忆能力的电阻，是继电阻器、电容器和电感器之后的第四个基本电路元件。较于晶体管芯片，它具有尺寸小、能耗低，可同时储存并处理信息等优势，被认为是能够突破摩尔定律的新方向。有数据统计称，一个忆阻器的工作量相当于一枚CPU芯片中十几个晶体管共同产生的效用。

鲁辞莽告诉《科创板日报》记者，忆阻器的工作原理即将信息信号转换成可控电流、电压、信号，从而在物理上模仿神经元与神经突触的运作，将储存、计算功能合二为一。

“传统芯片需要一个存储芯片来存储信息，一个中央处理器来负责计算，当数据量变大时，芯片之间的信息传输会造成功耗增加、额外延迟，而且芯片成本也高。” 鲁辞莽如是表示。

《科创板日报》记者注意到，业内龙头企业也在进行研发。2015年，IBM曾提出此基于忆阻器等新器件的类脑芯片构想，并在《Nature Communication》期刊上发文；惠普也曾提出过采用忆阻器的新型计算机架构。

就在今年2月，清华大学与合作者共同研发出一款基于多个忆阻器阵列的存算一体系统，相关成果发表于《自然》杂志。

“Micron、IBM、东芝等企业都在研发忆阻器芯片，不过多数仍然处于实验室验证阶段。”鲁辞莽称。

芯片功能待最终验证

天眼查显示，闪亿成立于2017年。其核心创始团队成员均毕业于东京大学、清华大学、加州大学等微电子名校，且部分成员有高通、长江存储等大厂工作经验，六位核心成员在行业顶级国际会议上以第一作者身份发文共30篇，合计论文专利500余篇。

鲁辞莽表示，“我们是看到了趋势。”

在鲁辞莽的叙述中，闪亿实现量产的关键技术为PLRAM，芯片的生产工艺开发则与华虹宏力紧密合作。目前，其芯片产品完全可基于传统的硅材料实现，且在华宏90nm生产线即可实现量产，无需改动产线。

根据企业给出的价格，这款芯片的成本价比同类型芯片降低了3-4倍，同时计算效率提升10倍。在智能家电、蓝牙耳机等对价格敏感的消费类电子领域，具有明显优势。

鲁辞莽透露，已有龙头企业与之合作，“为了保证产品质量也树立起闪亿的口碑，我们希望在芯片功能得到最终验证后，再去应用并公布。”

根据鲁辞莽的规划，其将于今明两年实现智能语音芯片在白色家电、可穿戴设备等设备上的应用，并逐步向智能视觉芯片拓展，计划于2021年推出首款图像产品。目前，闪亿正寻求2千万人民币的A轮融资。A轮融资后，企业将持续进行产品开发。

不过，鲁辞莽透露，闪亿并不缺投资人，他更希望投资人可以引入新的行业资源。